AMR傳感器（磁性傳感器）術語表4

Magnetoresistance effect 磁電阻效應

在主要由鎳、鐵、銅和其他用于磁電阻元件的鐵磁金屬組成的合金薄膜中，當鐵磁性金屬受到外部磁場的作用時，在分子水平上，三維帶電子軌道平面發生旋轉，再加上電子固有自旋軌道的相互作用，導致三維能帶電子分布發生畸變（d波段波函數發生畸變）。

結果，電子尋求能量穩定性，這激發了傳導電子發生在4s波段的概率變化，這是一個不同的電子軌道，這種狀態表現為電阻的變化。

mT 毫特斯拉

毫特斯拉。磁通量密度單位的名稱。（國際單位制）

用高斯的CGS單位換算為1mT=10高斯。

Non-contact

非接觸式

非接觸表示無需直接接觸即可執行操作。

對于AMR傳感器，安裝了傳感器的電路板包含在產品中，這樣可以用于以下應用。

不直接可見的傳感器。

易于適應防水結構的開關

不想向用戶顯示的開關

它們的特性使其應用范圍極為廣泛，例如當外殼由磁力通過的材料制成時，可以從傳感器外部進行操作。

使用簧片開關的位置有觸點，但AMR傳感器沒有任何觸點。在操作環境惡劣的地方，例如那些受到沖擊或振動的地方，AMR傳感器可以提供更高的可靠性。在某些情況下，可以使用與簧片開關相同的磁鐵，而無需任何修改。

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李工：18576410868