“GMR可以被認為是納米技術領域很早的實際應用之一。”      —Nobel Prize Committee, October 2007

“巨磁電阻”中的巨是什么？

     盡管巨磁電阻（GMR）中的“巨”一詞似乎與納米技術設備不協調，但它指的是當器件受到磁場作用時電阻的巨大變化（通常為10%到20%），而其他類型的磁傳感器的最大靈敏度只有幾%。

納米技術結構

GMR結構是夾在超薄非磁性導電中間層周圍的鐵磁合金：

（A） 是一種導電的非磁性夾層。由于反鐵磁耦合，合金（B）層的磁矩方向相反。抗電流（C）高。非磁性導電層通常是銅。銅通常是一種優良的導體，但當銅只有幾個原子厚時，電子散射會使銅的電阻顯著增加。這種電阻的變化取決于導電層周圍電子自旋的相對方向

施加外部磁場（D）克服反鐵磁耦合，使合金（B）層中的磁矩對齊：

這樣就可以利用這種外場感應裝置來改變外場的結構。為了提高靈敏度，實際裝置通常由多層交變磁性層和非磁性層組成。

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